QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  陈思远 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2020/11/19 氮化镓  辐射效应  单粒子  总剂量  可靠性   背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  张翔 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/11/19 背照式CMOS 图像传感器  总剂量效应  位移损伤效应   典型双极模拟电路ELDRS与SET协同效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  姚帅 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/11/19 双极模拟电路  单粒子瞬态  总剂量效应  低剂量率损伤增强效应  协同效应  变温辐照方法  仿真   22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  王保顺 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/11/19 鳍式场效应晶体管  总剂量效应  热载流子可靠性   稀氮（Ga(In)AsN）材料的位移损伤效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  雷琪琪 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/11/19 稀氮  Ga(In)AsN材料  光致发光  辐射损伤效应  退火   空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  梁晓雯 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/11/19 SiC MOSFET  栅氧可靠性  总剂量效应  单粒子效应  潜损伤  安全工作区   稀土离子掺杂NaCaPO4玻璃陶瓷的制备及光学和辐射剂量学特性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  徐杰 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/11/19 光致发光  玻璃陶瓷  稀土  辐射探测   偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响 期刊论文 辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70 作者:  王利斌;  王信;  吴雪;  李小龙;  刘默寒 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/11/03 SiGe BiCMOS  偏置条件  电离总剂量  氧化物陷阱电荷  界面态   22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388 作者:  王保顺;  崔江维;  郑齐文;  席善学;  魏莹 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/11/17 鳍式场效应晶体管  热载流子注入效应  总剂量效应   0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应 期刊论文 红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 183-188 作者:  蔡毓龙1,2,3;  李豫东1,3;  文林1,3;  冯婕3,1;  郭旗3,1 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/12/04 CMOS图像传感器  单粒子效应  累积辐射效应  质子