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新疆理化技术研究所 [4]
地理科学与资源研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2020 [5]
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共5条,第1-5条
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发表日期:2020
内容类型:期刊论文
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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
王利斌
;
王信
;
吴雪
;
李小龙
;
刘默寒
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2020/11/03
SiGe BiCMOS
偏置条件
电离总剂量
氧化物陷阱电荷
界面态
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388
作者:
王保顺
;
崔江维
;
郑齐文
;
席善学
;
魏莹
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2020/11/17
鳍式场效应晶体管
热载流子注入效应
总剂量效应
平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 2278-2283
作者:
王涛1,2,3
;
王倩1
;
何承发2,3
;
荀明珠2,3
;
买买提热夏提·买买提1
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/12/15
电离总剂量效应
平衡材料
电流增益
次级电子平衡
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
期刊论文
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:
魏莹
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2020/09/07
CMOS图像传感器
电离总剂量辐射效应
TCAD仿真
饮水型砷暴露人群砷甲基化代谢水平与皮肤损伤关系的研究
期刊论文
中华地方病学杂志, 2020, 卷号: 39.0, 期号: 1.0, 页码: 38
作者:
郭志伟
;
夏雅娟
;
李艳红
;
崔娜
;
刘一君
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2021/03/16
砷中毒
甲基化
代谢产物学
皮肤损伤
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