×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
宁波材料技术与工程研... [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2020 [4]
学科主题
Materials ... [4]
Chemistry [3]
Science & ... [3]
Physics [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
发表日期:2020
学科主题:Materials Science
内容类型:期刊论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Bottom-Gate Approach for All Basic Logic Gates Implementation by a Single-Type IGZO-Based MOS Transistor with Reduced Footprint
期刊论文
ADVANCED SCIENCE, 2020, 卷号: 7, 期号: 6
作者:
Qi, Shaocheng
;
Cunha, Joao
;
Guo, Tian-Long
;
Chen, Peiqin
;
Zaccaria, Remo Proietti
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2020/12/16
THIN-FILM TRANSISTORS
INTEGRATED-CIRCUITS
MEMORY
Broadband Optoelectronic Synaptic Thin-Film Transistors Based on Oxide Semiconductors
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2020, 卷号: 14, 期号: 4
作者:
Duan, Hongxiao
;
Javaid, Kashif
;
Liang, Lingyan
;
Huang, Lu
;
Yu, Jiahuan
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2020/12/16
PLASTICITY
DEVICES
BUDGET
Modeling and Mechanism of Enhanced Performance of In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors with Nanometer Thicknesses under Temperature Stress
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 124, 期号: 41, 页码: 22793-22798
作者:
Dai, Chaoqi
;
Qi, Guoqiang
;
Qiao, Hai
;
Wang, Weiliang
;
Xiao, Han
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2020/12/16
HYSTERESIS
EXTRACTION
Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint
期刊论文
NANO RESEARCH, 2020, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 232-238
作者:
Dai, Chaoqi
;
Chen, Peiqin
;
Qi, Shaocheng
;
Hu, Yongbin
;
Song, Zhitang
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2020/12/16
LOGIC GATES
MEMORY
FILM
REALIZATION
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace