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内容类型
期刊论文 [29]
发表日期
2019 [29]
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发表日期:2019
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Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures
期刊论文
SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13
作者:
Wang, Zhan Jie
;
Bai, Yu
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2021/02/02
conductivity
ferroelectric heterostructures
ferroelectricity
resistive switching
Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures
期刊论文
SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13
作者:
Wang, Zhan Jie
;
Bai, Yu
收藏
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浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2021/02/02
conductivity
ferroelectric heterostructures
ferroelectricity
resistive switching
Investigation of a submerging redox behavior in Fe2O3 solid electrolyte for resistive switching memory
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 114, 期号: 16, 页码: 5
作者:
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2019/06/24
Anisotropic resistance switching in hexagonal manganites
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2019, 卷号: 99, 期号: 5
作者:
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2019/12/26
Resistive switching device based on high-mobility graphene and its switching mechanism
期刊论文
Journal of Physics: Conference Series, 2019, 卷号: 1168, 期号: 2
作者:
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2019/04/18
Electroresistance of Pt/BaTiO3/LaNiO3 ferroelectric tunnel junctions and its dependence on BaTiO3 thickness
期刊论文
MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 卷号: 6
作者:
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/11/19
ferroelectric memory
pulsed laser deposition
ferroelectric tunnel junctions
resistive switching
Operando diagnostic detection of interfacial oxygen "breathing' of resistive random access memory by bulk-sensitive hard X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
MATERIALS RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: 7, 页码: 117-123
作者:
Niu, Gang
;
Calka, Pauline
;
Huang, Peng
;
Sharath, Sankaramangalam Ulhas
;
Petzold, Stefan
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/11/19
interface
HfO2
resistive switching
RRAM
HAXPES
Sub-nanosecond pulse programming and device design strategy for analog resistive switching in HfOx-based resistive random access memory
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 114
作者:
Hang, Cheng-Zhou
;
Wang, Chen
;
Gao, Bin
;
Chen, Huan
;
Xu, Ming-Hong
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/02
Electric breakdown
Energy utilization
Hafnium compounds
Integrated circuit design
Intelligent systems
Monte Carlo methods
RRAM, Kinetic monte carlo simulation
Microscopic distribution
Neuromorphic computing
Resistive random access memory
Resistive random access memory (rram)
Resistive switching
Sub-nanosecond pulse
Thermal conductance, Switching
Light assisted multilevel resistive switching memory devices based on all-inorganic perovskite quantum dots
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: Vol.114 No.18
作者:
Chen, Z.a
;
Zhang, Y.a
;
Yu, Y.a
;
Cao, M.a
;
Che, Y.a
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/21
Suppression of Filament Overgrowth in Conductive Bridge Random Access Memory by TaO/TaO Bi-Layer Structure.
期刊论文
Nanoscale research letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1, 页码: 111
作者:
Danian Dong
;
Xiulong Wu
;
Tiancheng Gong
;
Ming Liu
;
Hangbing Lv
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/04/24
Bi-layer structure
CMOS-compatible process
Conductive bridge resistive switching memory
Reliability
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