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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of growth rate on morphology evolution of 4H-SiC thick homoepitaxial layers 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: Vol.507, 页码: 143-145 作者:  Yingxi Niu;  Xiaoyan Tang;  Pengfei Wu;  Lingyi Kong;  Yun Li 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/13 A1  Surfaces  A3  Chemical  vapor  deposition  processes  B2  Semiconducting  materials  B2  Semiconducting  silicon  compounds   Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287 作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   Y.W. He ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   M. Guan ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/07/31 Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4 作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   X.H. Zhang ;   X.G. Li ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng ;   Z.G. Wang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/08/04