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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 反相器及其制作方法 专利 申请日期: 2019-09-03, 作者:  竺立强;  晁晋予;  肖惠 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/12/19 SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 学位论文 中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019 作者:  姬庆刚 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/11/21 130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究 期刊论文 北京航空航天大学学报, 2019, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 1137-1144 作者:  李赛;  陈睿;  韩建伟 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/12/17 单粒子瞬态(SET)  反相器  CMOS 工艺  重离子  脉冲激光   电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响 期刊论文 原子核物理评论, 2019, 期号: 03, 页码: 367-372 作者:  姬庆刚;  刘杰;  李东青;  刘天奇;  叶兵 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/11/21 深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究 期刊论文 微电子学, 2019, 卷号: 49, 页码: 729-734 作者:  高成;  张芮;  王怡豪;  黄姣英 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 CMOS反相器  单粒子瞬态效应  TCAD仿真  脉冲激光试验   电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响 期刊论文 原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 367-372 作者:  姬庆刚;  刘杰;  李东青;  刘天奇;  叶兵 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/11/18 单粒子翻转  总剂量效应  协同效应  静态随机存储器