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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 6 作者:  Cai, C.;  Zhao, P. X.;  Xu, L. W.;  Liu, T. Q.;  Li, D. Q. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2022/01/19 UTBB FDSOI  Radiation hardened  8T  SRAM  Single event upset   Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130-nm CMOS-based thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2019, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 11 作者:  Zhao, Pei-Xiong;  Geng, Chao;  Zhang, Zhan-Gang;  Liu, Jie;  Li, Xiao-Yuan 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/11/10 Anti-fuse PROM  Single event effects  Heavy ions  Pulsed laser  Space error rate   Heavy-Ion Induced Single Event Upsets in Advanced 65 nm Radiation Hardened FPGAs 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 13 作者:  Ke, Lingyun;  Zhao, Peixiong;  Liu, Jie;  Fan, Xue;  Cai, Chang 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2019/11/10 FPGA  radiation hardening  single event upsets  heavy ions  error rates