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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reduction of morphological defects in 4H-SiC epitaxial layers 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019, 卷号: Vol.506, 页码: 108-113 作者:  Li, Yun;  Zhao, Zhifei;  Yu, Le;  Wang, Yi;  Zhou, Ping 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/17 4H-SiC  Morphological  defect  Triangular  defect  Etching  Epitaxial  layers   High-performance quasi-vertical GaN Schottky diode with low turn-on voltage. 期刊论文 Superlattices & Microstructures, 2019, 卷号: Vol.125, 页码: 295-301 作者:  Bian, Zhao-Ke;  Zhou, Hong;  Xu, Sheng-Rui;  Zhang, Tao;  Dang, Kui 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/17 SCHOTTKY-barrier  diodes  *GALLIUM  nitride  *GALLIUM  compounds  *DISLOCATIONS  in  crystals  *CRYSTAL  defects   Reduction of morphological defects in 4H-SiC epitaxial layers. 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: Vol.506, 页码: 108-113 作者:  Li, Yun;  Zhao, Zhifei;  Yu, Le;  Wang, Yi;  Zhou, Ping 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/17 CHEMICAL  reduction  *CRYSTAL  morphology  *CRYSTAL  defects  *SILICON  carbide  *EPITAXIAL  layers   Graphitic C3N4 quantum dots for next-generation QLED displays. 期刊论文 Materials Today, 2019, 卷号: Vol.22, 页码: 76-84 作者:  He, Liangrui;  Fei, Mi;  Chen, Jie;  Tian, Yunfei;  Jiang, Yang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/17 LUMINESCENCE  *QUANTUM  dots  *CRYSTAL  defects  *ELECTRONIC  structure  *CHEMICAL  stability