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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interaction of lateral cracks in double scratching of single-crystal silicon carbide 期刊论文 Theoretical and Applied Fracture Mechanics, 2019, 卷号: 104 作者:  Wang, Peizhi;  Ge, Peiqi;  Bi, Wenbo;  Meng, Jianfeng 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/11 Material removal mechanism and crack propagation in single scratch and double scratch tests of single-crystal silicon carbide by abrasives on wire saw 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2019, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 384-393 作者:  Wang, Peizhi;  Ge, Peiqi;  Ge, Mengran;  Bi, Wenbo;  Meng, Jianfeng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Scratch test  Crack propagation  Single-crystal silicon carbide  Wire  saw   Investigation on residual scratch depth and material removal rate of scratching machining single crystal silicon with Berkovich indenter 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 卷号: 100, 页码: 98-105 作者:  Ge, Mengran;  Zhu, Hongtao;  Ge, Peiqi;  Zhang, Cheng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Scratching machining  Residual scratch depth  Material removal rate  Elastic deformation   New materials for semi-insulating sic single crystal growth by PVT method 会议论文 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2018, September 2, 2018 - September 6, 2018 作者:  Choi, Jeong-Min;  Lee, Chae-Young;  Kim, Dae-Sung;  Park, Mi-Seon;  Jang, Yeon-Suk 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 Structural strain in single layer graphene fabricated on SiC 会议论文 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2018, September 2, 2018 - September 6, 2018 作者:  Yu, Wancheng;  Chen, Xiufang;  Hu, Xiaobo;  Xu, Xiangang;  Jin, Peng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31