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科研机构
大连理工大学 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2019 [2]
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发表日期:2019
内容类型:期刊论文
专题:大连理工大学
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Preparation of high-quality CuGa2O4 film via annealing process of Cu/beta-Ga2O3
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2019, 卷号: 54, 页码: 11111-11116
作者:
Shi, Jianjun
;
Liang, Hongwei
;
Xia, Xiaochuan
;
Li, Zhuo
;
Long, Ze
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提交时间:2019/12/02
Copper
Copper compounds
Crystallinity
Film preparation
Lattice mismatch
Metallic films
Semiconductor quantum wells
Single crystals
X ray diffraction analysis, Annealing methods
Annealing process
Epitaxial relationships
Full width half maximum
High resolution X ray diffraction
Preferred orientations
Single crystal substrates
[110] direction, Gallium compounds
New fine structure of red luminescence in ZnO observed under exciton resonance excitation
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 页码: 045004
作者:
Zhou, N.
;
Hu, B. C.
;
Zhang, Q. Y.
;
Ma, C. Y.
;
Hao, S. Z.
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提交时间:2019/12/02
Atomic physics
Binding energy
Excited states
II-VI semiconductors
Luminescence
Point defects
Semiconductor quantum wells
Temperature
Transition metals
Zinc oxide, Donor and acceptor
Exciton resonances
Internal transitions
Low temperatures
Native point defects
Red luminescence
Structure defects
Transition metal elements, Excitons
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