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非挥发性阻变存储器件及其制备方法 专利
专利号: US10134983, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-08-11
作者:  刘琦;  刘明;  孙海涛;  张科科;  龙世兵
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/03/27
Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory 期刊论文
Chinese Physics B, 2018
作者:  Liu J(刘璟);  Xu XX(许晓欣);  Chen CB(陈传兵);  Gong TC(龚天成);  Yu ZA(余兆安)
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/04/12
Long-Term Transcranial Direct Current Stimulation Does Not Improve Executive Function in Healthy Older Adults 期刊论文
FRONTIERS IN AGING NEUROSCIENCE, 2018, 卷号: 10, 页码: 11
作者:  Huo, Lijuan;  Zheng, Zhiwei;  Li, Jin;  Wan, Wenyu;  Cui, Xiaoyu
收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2018/11/24
Sturm-Liouville and Carroll: at the heart of the memory effect 期刊论文
GENERAL RELATIVITY AND GRAVITATION, 2018, 卷号: 50, 期号: 9, 页码: 9
作者:  Zhang, P-M;  Elbistan, M.;  Gibbons, G. W.;  Horvathy, P. A.
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/10/09
Sturm-Liouville and Carroll: at the heart of the memory effect 期刊论文
GENERAL RELATIVITY AND GRAVITATION, 2018, 卷号: 50, 期号: 9, 页码: 107
作者:  Zhang, P-M;  Elbistan, M.;  Gibbons, G. W.;  Horvathy, P. A.
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/10/08
Organo-Solubility Carbazole-Containing Polyimides with Tunable Memory Characteristics Based on Different Dianhydride Moieties 期刊论文
MACROMOLECULAR CHEMISTRY AND PHYSICS, 2018, 卷号: 219, 期号: 17, 页码: 13
作者:  Yang, Yanhua;  Jin, Pan;  Ding, Shijin;  Chu, Yueying;  Shen, Yingzhong
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/11/05
Low-threshold optical bistability in field-enhanced nonlinear guided-mode resonance grating nanostructure 期刊论文
OPTICS LETTERS, 2018, 卷号: 43, 期号: 17, 页码: 4156-4159
作者:  Ge, Zhiqiang;  Hei, Xuwei;  Wang, Leiran;  Sun, Qibing;  Si, Jinhai
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/10/09
A Molecular Ferroelectric Showing Room-Temperature Record-Fast Switching of Spontaneous Polarization 期刊论文
ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION, 2018, 卷号: 57, 期号: 31, 页码: 9833-9837
作者:  Sun, Zhihua;  Yi, Xianfeng;  Tao, Kewen;  Ji, Chengmin;  Liu, Xitao
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/11/05
Classification of Three-Level Random Telegraph Noise and Its Application in Accurate Extraction of Trap Profiles in Oxide-Based Resistive Switching Memory 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者:  Gong TC(龚天成);  Xu XX(许晓欣);  Yu J(余杰);  Dong DN(董大年);  Lv HB(吕杭炳)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/18
Improvement of durability and switching speed by incorporating nanocrystals in the HfOx based resistive random access memory devices 期刊论文
Applied Physics Letters, 2018
作者:  Wu QT(吴全潭);  Writam Banerjee;  Cao JC(曹劲琛);  Ji ZY(姬濯宇);  Li L(李泠)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/12

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