已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201410707178.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-06-22 作者: 钟汇才 ; 罗军 ; 赵超 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2019/03/26 |
| 一种FINFET结构及其制造方法 专利 专利号: CN201410573220.3, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-05-18 作者: 刘云飞; 尹海洲![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/03/22 |
| 一种FinFET结构及其制造方法 专利 专利号: CN201410459571.1, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16 作者: 尹海洲 ; 刘云飞; 李睿
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/03/22 |
| 一种CMOS结构及其制造方法 专利 专利号: CN201410459563.7, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16 作者: 李睿; 刘云飞; 尹海洲![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/03/22 |
| 一种FinFET结构及其制造方法 专利 专利号: CN201410459357.6, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-04-06 作者: 李睿; 尹海洲 ; 刘云飞
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/03/21 |
| 一种FinFET制造方法 专利 专利号: CN201410185066.2, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2015-11-25 作者: 张珂珂; 尹海洲 ; 刘云飞
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/03/21 |
| FinFET器件累积失效机制的仿真与实验研究 学位论文 : 中国科学院大学, 2018 作者: 黄云波
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2018/09/05 |
| FinFET及其制造方法 专利 专利号: CN201210464915.9, 申请日期: 2018-04-24, 公开日期: 2014-05-28 作者: 朱慧珑![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/03/19 |
| 半导体制造方法 专利 专利号: CN201310215647.1, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-12-17 作者: 朱慧珑 ; 殷华湘 ; 秦长亮
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/03/19 |
| FinFet器件的制造方法 专利 专利号: CN201410199311.5, 申请日期: 2018-03-13, 公开日期: 2015-11-25 作者: 王垚 ; 刘金彪 ; 李俊峰 ; 刘青 ; 杨涛![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/03/14 |