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| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者: 高建峰 ; 白国斌; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 超级电容器电解质研究进展 期刊论文
材料导报, 2018, 卷号: 32, 期号: 2018年21期, 页码: 3697-3705+3719
作者: 杨贺珍; 冉奋
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| 生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 专利
专利号: CN108735866A, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
作者: 高芳亮; 李国强; 徐珍珠; 余粤锋
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| 一种整片制作和测试边发射光器件的方法 专利
专利号: CN108718032A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
作者: 朱洪亮; 黄永光
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310184801.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26
作者: 唐兆云; 闫江; 唐波; 贾宬; 王大海
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410360690.1, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-17
作者: 王桂磊; 李俊峰; 赵超
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| 超级电容器电极材料及器件的柔性化与微型化 期刊论文
材料导报, 2018, 卷号: 32, 期号: 2018年17期, 页码: 2912-2919
作者: 董文举; 孔令斌; 康龙; 冉奋
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| 一种半导体激光器静电失效分析方法 专利
专利号: CN105425136B, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2018-08-10
作者: 庞艺; 赵柏秦
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410360703.5, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-03-16
作者: 王桂磊; 李俊峰; 赵超
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| 一种半导体激光脱毛仪及其主机系统 专利
专利号: CN207640487U, 申请日期: 2018-07-24, 公开日期: 2018-07-24
作者: 焦文
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