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半导体研究所 [5]
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期刊论文 [5]
发表日期
2018 [5]
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发表日期:2018
专题:半导体研究所
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Enhancement of tunneling current in phosphorene tunnel field effect transistors by surface defects
期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2018, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 5699-5707
作者:
Juan Lu
;
Zhi-Qiang Fan
;
Jian Gong
;
Jie-Zhi Chen
;
Huhe ManduLa
;
Yan-Yang Zhang
;
Shen-Yuan Yang Xiang-Wei Jiang
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/11/18
Suppressing the excess OFF-state current of short-channel InAs nanowire field-effect transistors by nanoscale partial-gate
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 41, 页码: 415203
作者:
Wenyuan Yang
;
Dong Pan
;
Rui Shen
;
Xinzhe Wang
;
Jianhua Zhao
;
Qing Chen
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/11/18
Improving the electrical properties of InAs nanowire field effect transistors by covering them with Y 2 O 3 /HfO 2 layers
期刊论文
NANOSCALE, 2018, 卷号: 10, 期号: 39, 页码: 18492–18501
作者:
Tong Li
;
Rui Shen
;
Mei Sun
;
Dong Pan
;
Jingmin Zhang
;
Jun Xu
;
Jianhua Zhao
;
Qing Chen
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/11/12
Improving Performances of In-Plane Transition-Metal Dichalcogenide Schottky Barrier Field-Effect Transistors
期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 22, 页码: 19271-19277
作者:
Zhi-Qiang Fan
;
Xiang-Wei Jiang
;
Jiezhi Chen
;
Jun-Wei Luo
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/11/12
Quantum Hall Effect in Electron-Doped Black Phosphorus Field- Effect Transistors
期刊论文
NANO LETTERS, 2018, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 6611-6616
作者:
Fangyuan Yang
;
Zuocheng Zhang
;
Nai Zhou Wang
;
Guo Jun Ye
;
Wenkai Lou
;
Xiaoying Zhou
;
Kenji Watanabe
;
Takashi Taniguchi
;
Kai Chang
;
Xian Hui Chen
;
Yuanbo Zhang
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2019/11/12
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