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内容类型
期刊论文 [8]
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2017 [8]
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发表日期:2017
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Correlation analysis between the current fluctuation characteristics and the conductivefilament morphology of HfO2-based memristor
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017
作者:
Zhang MY(张美芸)
;
Long SB(龙世兵)
;
Liu M(刘明)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/07/12
Investigation on the Conductive Filament Growth Dynamics in Resistive Switching Memory via a Universal Monte Carlo Simulator
期刊论文
SCIeNTIfIC REporTS, 2017
作者:
Li Y(李昱)
;
Zhang MY(张美芸)
;
Long SB(龙世兵)
;
Liu Q(刘琦)
;
Lv HB(吕杭炳)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2018/07/13
Resistive Switching Performance Improvement via Modulating Nanoscale Conductive Filament, Involving the Application of Two-Dimensional Layered Materials
期刊论文
Small, 2017
作者:
Li Y(李昱)
;
Long SB(龙世兵)
;
Liu Q(刘琦)
;
Lv HB(吕杭炳)
;
Liu M(刘明)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2018/07/12
Anisotropic Magnetoresistance of Nanoconductive Filament in Co/HfO2/Pt Resistive Switching Memory
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者:
Liu Q(刘琦)
;
Liu M(刘明)
;
Lv HB(吕杭炳)
;
Zhang MY(张美芸)
;
Long SB(龙世兵)
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2018/07/12
A larger nonvolatile bipolar resistive switching memory behaviour fabricated using eggshells
期刊论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 235-239
作者:
Zhou, Guangdong
;
Sun, Bai
;
Zhou, Ankun
;
Wu, Bo
;
Huang, Haishen
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2017/04/17
Resistive switching memory
Eggshell dielectric films
Redox-based filaments
Modulation of nonlinear resistive switching behavior of a TaOx-based resistive device through interface engineering
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2017
Wang, Zongwei
;
Kang, Jian
;
Yu, Zhizhen
;
Fang, Yichen
;
Ling, Yaotian
;
Cai, Yimao
;
Huang, Ru
;
Wang, Yangyuan
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
interface engineering
nonvolatile memory
resistive random access memory (RRAM)
resistive switching
nonlinearity
tantalum oxide
BIPOLAR RRAM
THIN-FILM
MEMORY
MECHANISM
ARCHITECTURE
CHALLENGES
ARRAY
MEMRISTOR
BILAYER
Resistive switching characteristic of electrolyte-oxide-semiconductor structures
期刊论文
半导体学报(英文版), 2017
Xiaoyu Chen
;
Hao Wang
;
Gongchen Sun
;
Xiaoyu Ma
;
Jianguang Gao
;
Wengang Wu
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2017/12/03
electrolyte-oxide-semiconductor structure resistive switching characteristic conductive filament threshold voltage reverse leakage current
electrolyte-oxide-semiconductor structure
resistive switching characteristic
conductive filament
threshold voltage
reverse leakage current
A Versatile and Accurate Compact Model of Memristor With Equivalent Resistor Topology
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 10
作者:
Zhu, Ruohua
;
Chang, Sheng
;
Wang, Hao
;
Huang, Qijun
;
He, Jin
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/05
Compact model
conductive filament
equivalent resistor topology
memristor
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