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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Abnormal Recovery Phenomenon Induced by Hole Injection During Hot Carrier Degradation in SOI n-MOSFETs 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 Lu, Ying-Hsin; Chang, Ting-Chang; Chen, Li-Hui; Lin, Yu-Shan; Liu, Xi-Wen; Liao, Jih-Chien; Lin, Chien-Yu; Lien, Chen-Hsin; Chang, Kuan-Chang; Zhang, Sheng-Dong 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Hole injection  hot carrier  impact ionization  abnormal recovery  P-MOSFETS   The Impact of Self-Heating on HCI Reliability in High-Performance Digital Circuits 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 Jiang, Hai; Shin, SangHoon; Liu, Xiaoyan; Zhang, Xing; Alam, Muhammad Ashraful 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 Self-heating  digital circuits  hot carrier injection  reliability  lifetime  MOSFETS