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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Controllable III-V nanowire growth via catalyst epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2017, 卷号: 5, 期号: 18, 页码: 4393-4399 作者:  Han, Ning;  Wang, Ying;  Yang, Zai-xing;  Yip, SenPo;  Wang, Zhou 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/07/10 Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, < 111 >-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor-Solid-Solid Chemical Vapor Deposition 期刊论文 ACS NANO, 2017, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 4237-4246 作者:  Yang, Zai-xing;  Liu, Lizhe;  Yip, SenPo;  Li, Dapan;  Shen, Lifan 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/09/06 Gasb Nanowires  Growth Orientation  High Mobility  Vapor-solid-solid  Interface Plane Orientation  In-plane Lattice Mismatch   Extracting band structure characteristics of GaSb/InAs core-shell nanowires from thermoelectric properties 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2017 Vinas, Florinda; Xu, H. Q.; Leijnse, Martin 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/12/03 INAS NANOWIRES  GASB  HETEROSTRUCTURES  CONDUCTANCE  INAS/GASB  MODEL  FIELD  GAAS   Self-Catalyzed Growth of Vertical GaSb Nanowires on InAs Stems by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017, 卷号: 12, 页码: 1-8 作者:  Xianghai Ji;  Xiaoguang Yang;  Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/05/23 -Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor-Solid-Solid Chemical Vapor Deposition">Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, -Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor-Solid-Solid Chemical Vapor Deposition 期刊论文 ACS NANO, 2017, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 4237-4246 作者:  Yang, Zai-xing;  Liu, Lizhe;  Yip, SenPo;  Li, Dapan;  Shen, Lifan 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/12 GaSb nanowires  growth orientation  high mobility  vapor-solid-solid  interface plane orientation  in-plane lattice mismatch