QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain 会议论文 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超);  Yin HX(殷华湘);  Zhong HC(钟汇才);  Zhang QZ(张青竹) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/26 Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs 期刊论文 International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2017 作者:  Henry Homayoun Radamson;  Zhu HL(朱慧珑);  Yin HX(殷华湘);  Qin ZL(秦长亮);  Luo J(罗军) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/05 The Impact of Self-Heating on HCI Reliability in High-Performance Digital Circuits 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 Jiang, Hai; Shin, SangHoon; Liu, Xiaoyan; Zhang, Xing; Alam, Muhammad Ashraful 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 Self-heating  digital circuits  hot carrier injection  reliability  lifetime  MOSFETS   Performance characteristics of p-channel FinFETs with varied Si-fin extension lengths for source and drain contacts 期刊论文 SEMICONDUCTORS, 2017, 卷号: 51, 期号: 12 作者:  Liaw, Yue-Gie;  Liao, Wen-Shiang;  Wang, Mu-Chun;  Chen, Chii-Wen;  Li, Deshi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05