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| 基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器 专利
专利号: CN107404067A, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28
作者: 施政; 沈湘菲; 王永进; 蒋元; 袁佳磊
  收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进 会议论文
作者: 陈晓娟; 王鑫华; 魏珂; 郑英奎; 樊捷
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/07/20 |
| 具有在基板构件上构造的多个发射器的激光器封装件 专利
专利号: CN106911079A, 申请日期: 2017-06-30, 公开日期: 2017-06-30
作者: 詹姆斯·W·拉林; 保罗·鲁迪; 白辰东
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| (In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏 | 浏览/下载：437/0 | 提交时间：2017/06/05
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| AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
陈翔
收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2017/06/05
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| 高Al组分AlGaN材料及紫外LED研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
张硕
收藏 | 浏览/下载：63/0 | 提交时间：2017/06/05
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| AlGaN 基紫外LED 高效光提取关键技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
郭亚楠
收藏 | 浏览/下载：48/0 | 提交时间：2017/06/05
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| Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 110, 页码: 324-329
作者:
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2018/05/23 |
| Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 110, 页码: 324-329
作者: Fangzheng Li; Lianshan Wang; Guijuan Zhao; Yulin Meng; Huijie Li
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2018/05/23 |
