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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modulation of electrical properties and current conduction mechanism of HfAlO/Ge gate stack by ALD-derived Al2O3 passivation layer 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.695, 页码: 1591-1599 作者:  Li,W. D.;  Jin,P.;  Wei,H. H.;  Xiao,X. D.;  Gao,J. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 SURFACE PASSIVATION  INTERFACE PROPERTIES  HIGH-PERFORMANCE  DEPOSITED AL2O3  HYBRID FILMS  GE  DIELECTRICS  HFO2  CAPACITORS  GAAS   Interface quality modulation, band alignment modification and optimization of electrical properties of HfGdO/Ge gate stacks by nitrogen incorporation 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.695, 页码: 2199-2206 作者:  Lv,J. G.;  Fang,Z. B.;  Sun,Z. Q.;  Liu,M.;  Gao,J. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/22 OXIDES  DIELECTRICS  TRANSISTORS  DEPENDENCE  CHEMISTRY  HFO2   Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.699, 页码: 415-420 作者:  Li,W. D.;  Lv,J. G.;  Jin,P.;  Xiao,D. Q.;  Wang,P. H. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 THIN-FILM TRANSISTORS  HIGH-PERFORMANCE  LOW-TEMPERATURE  HYBRID FILMS  FABRICATION  DEPOSITION  CONSTANT  OXIDES  STACK  HFO2   Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.691, 页码: 504-513 作者:  Lv,J. G.;  Jin,P.;  Xiao,D. Q.;  Zheng,C. Y.;  Chen,X. S. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 PULSED-LASER DEPOSITION  THERMAL-STABILITY  BAND ALIGNMENT  DIELECTRICS  SILICON  OXIDE  HFO2  SUBSTRATE  BARRIER  MEMORY   Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.704, 页码: 322-328 作者:  Lv,J. G.;  Li,W. D.;  Zheng,C. Y.;  Zhu,L.;  Liang,S. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 ATOMIC LAYER DEPOSITION  BAND ALIGNMENT  HFO2  GAAS  DIELECTRICS  FILMS  GD   Annealing-temperature-modulated optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfAlOX gate dielectrics 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2017, 卷号: Vol.43 No.3, 页码: 3101-3106 作者:  Li,W. D.;  Jin,P.;  Zhang,M.;  Xiao,D. Q.;  Fang,Z. B. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/04/22 THIN-FILMS  INTERFACIAL PROPERTIES  HFO2 FILMS  MICROSTRUCTURE  EVAPORATION  NITRIDATION  DEPOSITION   Fast Frequency Sweep Analysis of a Dielectric Rough Surface by Maehly Approximation 期刊论文 IEEE Journal on Multiscale and Multiphysics Computational Techniques, 2017, 卷号: Vol.2, 页码: 224-227 作者:  Zhixiang Huang;  Ran Bao;  Anqi Wang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 Rough  surfaces  Method  of  moments  Dielectrics  Electromagnetic  scattering  Chebyshev  approximation  Dielectric  rough  surface  frequency  band  Maehly  approximation  method  of  moments   Annealing temperature-dependent microstructure and optical and electrical properties of solution-derived Gd-doped ZrO2 high-k gate dielectrics 期刊论文 Journal of Sol-Gel Science and Technology, 2017, 卷号: Vol.83 No.3, 页码: 675-682 作者:  Liang, S.;  Jiang, S. S.;  Sun, Z. Q.;  He, G.;  Zhu, L. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 ATOMIC LAYER DEPOSITION  OXIDE THIN-FILMS  INTERFACIAL PROPERTIES  PLASMA-OXIDATION  HFO2  TRANSISTORS  MODULATION  SILICON  TIO2  ALD   Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.716, 页码: 1-6 作者:  Liu,Yanmei;  Sun,Zhaoqi;  Jiang,Shanshan;  Li,Jing;  Liu,Mao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 ATOMIC-LAYER-DEPOSITION  DIELECTRICS  AL2O3  HFO2   Passivation of Ge surface treated with trimethylaluminum and investigation of electrical properties of HfTiO/Ge gate stacks 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2017, 卷号: Vol.33 No.8, 页码: 901-906 作者:  Jiang,Shanshan;  Zhu,Li;  Gao,Juan;  Xiao,Dongqi;  Liang,Shuang 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/24 ATOMIC-LAYER-DEPOSITION  THERMAL-STABILITY  BAND ALIGNMENT  MOS CAPACITORS  HFO2  DIELECTRICS  AL2O3  SUBSTRATE  QUALITY  CMOS