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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of native defects and impurities in m−HfO2 and β−Si3N4 on charge trapping memory devices: A first principle hybrid functional study. 期刊论文 Physica Status Solidi (B), 2017, 卷号: Vol.254 No.2 作者:  Lu,Wenjuan;  Wang,Feifei;  Dai,Yuehua;  Jin,Bo 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 NONVOLATILE MEMORY  SILICON-NITRIDE  POINT-DEFECTS  HFO2  OXYGEN  PREDICTION