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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of transient responses of nanoscale transistors by deterministic solution of the time-dependent BTE 其他 2016-01-01 Di, Shaoyan; Zhao, Kai; Lu, Tiao; Du, Gang; Liu, Xiaoyan 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Transient simulation  Boltzmann transport equation  Transient relaxation time  UTBB MOSFETs  BOLTZMANN TRANSPORT-EQUATION  QUASI-BALLISTIC TRANSPORT  SEMICONDUCTOR-DEVICES  SPHERICAL-HARMONICS  SCATTERING  MOSFETS   Investigation of Scattering Mechanism in Nano-Scale Double Gate In0.53Ga0.47As nMOSFETs by a Deterministic BTE Solver 其他 2016-01-01 Di, Shaoyan; Lun, Zhiyuan; Chang, Pengying; Shen, Lei; Zhao, Kai; Lu, Tiao; Du, Gang; Liu, Xiaoyan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Boltzmann transport equation (BTE)  InGaAs  double gate  scattering  MOSFETS  SEMICONDUCTORS  TRANSPORT   Extended Hydrodynamic Models and Multigrid Solver of a Silicon Diode Simulation 其他 2016-01-01 Hu, Zhicheng; Li, Ruo; Qiao, Zhonghua 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 Boltzmann transport equation  extended hydrodynamic model  moment-dependent relaxation time  multigrid  semiconductor device simulation  REGULARIZED MOMENT METHOD  GLOBALLY HYPERBOLIC REGULARIZATION  BOUNDARY-CONDITIONS  BOLTZMANN-EQUATION  DEVICE SIMULATIONS  CARRIER TRANSPORT  SEMICONDUCTORS  SYSTEM  ELECTRONS  APPROXIMATIONS   EFFECT OF TIME AND TEMPERATURE ON EPITAXY GROWTH 其他 2016-01-01 Aanand; Sheu, Gene; Yang, Shao-Ming; Lai, Ciou-Jhong; Imam, Syed Sarwar 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 epitaxy  epi-layer  vacancy  interstitials  net doping  diffusion   Effect of time and temperature on epitaxy growth 其他 2016-01-01 Aanand; Sheu, Gene; Yang, Shao-Ming; Lai, Ciou-Jhong; Imam, Syed Sarwar 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03