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科研机构
兰州大学 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2016 [1]
学科主题
physical c... [1]
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发表日期:2016
内容类型:会议论文
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Atomistic study of the copper cluster deposition on Si(001) and Si(111) surface
会议论文
Chinese Materials Congress on Methods of Design and Characterization of Materials, Research and Development of Technological Processes, 2015, Guiyang, China, July 10, 2015 - July 14, 2015
作者:
Gong, Hengfeng
;
Li, Gongping
;
Zhang, Shixu
;
Lu, Wei
;
Wang, Lumin
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提交时间:2017/01/20
Silicon
Characterization
Deposition
Film growth
Interfaces (materials)
Mixing
Molecular dynamics
Morse potential
Silicides
Substrates
Surface segregation
Cluster
Cluster deposition
Crystallographic orientations
Epitaxial relations
Film-substrate interfaces
Molecular dynamics simulations
Silicide formation
Silicon segregation
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