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一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利
申请日期: 2016-01-01,
作者:  黄健[1];  杨瑾[2];  季欢欢[3];  陆元曦[4];  周家伟[5]
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/04/26
一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利
申请日期: 2016-01-01,
作者:  黄健[1];  杨瑾[2];  季欢欢[3];  陆元曦[4];  周家伟[5]
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一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利
申请日期: 2016-01-01,
作者:  黄健[1];  杨瑾[2];  季欢欢[3];  陆元曦[4];  周家伟[5]
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一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利
申请日期: 2016-01-01,
作者:  黄健[1];  杨瑾[2];  季欢欢[3];  陆元曦[4];  周家伟[5]
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