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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The TID effects of RRAM based oxide material 会议论文 作者:  Wang Y(王艳);  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Lv HB(吕杭炳);  Liu Q(刘琦) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/14 Improved unipolar resistive switching characteristics of mixed-NiOx/NiOy-film-based resistive switching memory devices 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015 Liu, Lifeng; Hou, Yi; Chen, Bing; Gao, Bin; Kang, Jinfeng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 METAL-OXIDE RRAM  MODEL   High-performance HfOx/AlOy-based resistive switching memory cross-point array fabricated by atomic layer deposition 期刊论文 nanoscale research letters, 2015 Chen, Zhe; Zhang, Feifei; Chen, Bing; Zheng, Yang; Gao, Bin; Liu, Lifeng; Liu, Xiaoyan; Kang, Jinfeng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 RRAM  Cross-point array  Atomic layer deposition (ALD)  METAL-OXIDE RRAM  PARAMETER VARIATION  OPERATION  DEVICE  RERAM  TEMPERATURE  RETENTION  MODEL   RRAM based synaptic devices for neuromorphic visual systems 其他 2015-01-01 Kang, J.F.; Gao, B.; Huang, P.; Liu, L.F.; Liu, X.Y.; Yu, H.Y.; Yu, S.; Wong, H.-S. Philip 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 Influence of selector-introduced compliance current on HfOx RRAM switching operation 其他 2015-01-01 Fang, Yichen; Cai, Yimao; Wang, Zongwei; Yu, Zhizhen; Yang, Xue; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Influence of Selector-introduced Compliance Current on HfOx RRAM Switching Operation 其他 2015-01-01 Fang, Yichen; Cai, Yimao; Wang, Zongwei; Yu, Zhizhen; Yang, Xue; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 compliance current  RRAM  Current overshooting   First principle simulations on the effects of oxygen vacancy in HfO2-based RRAM 期刊论文 AIP Advances, 2015, 卷号: Vol.5 No.1, 页码: 017133 作者:  Xu,Jianbin;  Zhao,Yuanyang;  Dai,Yuehua;  Yang,Fei;  Wang,Jiayu 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 OXIDE FILMS  NEGATIVE RESISTANCE  NONVOLATILE MEMORY