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内容类型
期刊论文 [6]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [7]
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共7条,第1-7条
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发表日期:2015
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Cutting a chemical bond with demon's scissors: Mode- and bond-selective reactivity of methane on metal surfaces
期刊论文
surface science, 2015, 卷号: 640, 页码: 25-35
作者:
Lozano, A.
;
Shen, X. J.
;
Moiraghi, R.
;
Dong, W.
;
Busnengo, H. F.
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/11/17
Methane
Surfaces
Molecular dynamics
Adsorption
Reactive force fields
Bond selectivity
锰钴镍氧化物薄膜和超薄片的制备及其光学和电学性能研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
孔雯雯
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浏览/下载:109/0
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提交时间:2015/06/15
薄膜
超薄片
制备方法
负温度系数热敏电阻
光电性质
Growth of alpha-axis ZnO films on the defective substrate with different O/Zn ratios: A reactive force field based molecular dynamics study
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: 628, 页码: 317-324
L.
;
Shahzad Liu, M. B.
;
Qi, Y.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/05/08
Zinc oxide
Non-polar thin films
Atomic scale structure
Point defects
Molecular dynamics simulations
atomic layer deposition
beam epitaxy
thin-films
zinc-oxide
plane
sapphire
homoepitaxial growth
optical-properties
temperature
orientation
nanogenerators
A Roadmap for Controlled Production of Topological Insulator Nanostructures and Thin Films
期刊论文
SMALL, 2015
Guo, Yunfan
;
Liu, Zhongfan
;
Peng, Hailin
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
topological insulators
nanostructures
synthesis
surface states
bulk carriers
DER-WAALS EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HGTE QUANTUM-WELLS
BISMUTH TELLURIDE
BI2SE3 NANORIBBONS
SOLVOTHERMAL SYNTHESIS
TRANSPORT-PROPERTIES
SURFACE CONDUCTION
GROWTH
Investigation on the Properties of Nonpolar m-Plane GaN-Based Light-Emitting Diode Wafers Grown on LiGaO2(100) Substrates (EI收录)
期刊论文
Journal of Electronic Materials, 2015, 卷号: 44, 页码: 2670-2678
作者:
Yang, Weijia[1]
;
Wang, Wenliang[1]
;
Lin, Yunhao[1]
;
Liu, Zuolian[1]
;
Zhou, Shizhong[1]
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/04/25
Electroluminescence
Full width at half maximum
Gallium alloys
Gallium nitride
Interfaces (materials)
Light
Molecular beam epitaxy
Pulsed laser deposition
Semiconductor quantum wells
Substrates
Effects of rapid thermal annealing on the properties of aln films deposited by peald on algan/gan heterostructures
期刊论文
Rsc advances, 2015, 卷号: 5, 期号: 47, 页码: 37881-37886
作者:
Cao, Duo
;
Cheng, Xinhong
;
Xie, Ya-Hong
;
Zheng, Li
;
Wang, Zhongjian
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2019/05/10
High-quality n-type aluminum gallium nitride thin films grown by interrupted deposition and in-situ thermal annealing
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2015, 卷号: 30
作者:
Liu, Chang
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/05
Doping
IDTA
Molecular beam epitaxy
Nitrides
Al0.6Ga0.4N
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