QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究 期刊论文 2015 李晓莹; 朱丽虹; 邓彪; 张玲; 刘维翠; 曾凡明; 刘宝林 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/05/17 GaN  发光二极管  感应耦合等离子体(ICP)刻蚀  侧壁粗化  出光效率  GaN  light-emitting diode(LED)  inductively coupled plasma(ICP)etching  sidewall texturing  light output efficiency   Fabrication and Characterization of a Single Electron Transistor Based on a Silicon-on-Insulator 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 32, 期号: 4, 页码: 3 作者:  Su, LN(苏丽娜);  Lv, L(吕利);  Li, XX(李欣幸);  Qin, H(秦华);  Gu, XF 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2015/12/31 A preliminary study of SF6 based inductively coupled plasma etching techniques for beta gallium trioxide thin film 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2015, 卷号: 39, 页码: 582-586 作者:  Liang, Hongwei;  Chen, Yuanpeng;  Xia, Xiaochuan;  Zhang, Chao;  Shen, Rensheng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/09 beta-Ga2O3 thin film  ICP etching  SF6  Dry etching   Electrical properties of Hg1-xCdxTe by different etching techniques 期刊论文 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 卷号: 73, 页码: 251-254 作者:  Chen, X. T.;  Qiao, H.;  Liu, X. Y.;  Yang, K. J. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/17 HgCdTe  Ion beam milling (IBM)  Inductively coupled plasma (ICP)  etching  Hall effect  Mobility spectrum