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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Approaching the Hole Mobility Limit of GaSb Nanowires 期刊论文 ACS NANO, 2015, 卷号: 9, 期号: 9, 页码: 9268-9275 作者:  Yang, Zai-xing;  Yip, Senpo;  Li, Dapan;  Han, Ning;  Dong, Guofa 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2015/11/16 GaSb nanowires  surfactant-assisted chemical vapor deposition  diameter dependent  growth orientation  hole mobility   Electronic structures of [001]- and [111]-oriented InSb and GaSb free-standing nanowires 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015 Liao, Gaohua; Luo, Ning; Yang, Zhihu; Chen, Keqiu; Xu, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 FIELD-EFFECT-TRANSISTORS  BIAS CONDUCTANCE PEAK  INTERLAYER DIFFUSION  HYBRID DEVICE  QUANTUM DOTS  SEMICONDUCTORS  PARAMETERS  EPITAXY  GAAS   Transport studies of electron-hole and spin-orbit interaction in GaSb/InAsSb core-shell nanowire quantum dots 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2015 Ganjipour, Bahram; Leijnse, Martin; Samuelson, Lars; Xu, H. Q.; Thelander, Claes 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 GASB  INAS  TRANSITION  GIANT  ENERGY   Self-catalyzed growth mechanism of InAs nanowires and growth of InAs/GaSb heterostructured nanowires on Si substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2015, 卷号: 426, 页码: 287–292 XiaoyeWang; WennaDu; XiaoguangYang; XingwangZhang; TaoYang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/03/22 Remote p-type Doping in GaSb/InAs Core-shell Nanowires. 期刊论文 Sci Rep, 2015, 卷号: Vol.5, 页码: 10813 作者:  Ning F;  Tang LM;  Zhang Y;  Chen KQ. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 Electronic structures of [001]- and [111]-oriented InSb and GaSb free-standing nanowires 期刊论文 Applied Physics Reviews, 2015, 卷号: Vol.118 No.9 作者:  Liao, Gaohua;  Luo, Ning;  Yang, Zhihu;  Chen, Keqiu;  Xu, H.Q. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 First-principles study of effects of quantum confinement and strain on the electronic properties of GaSb nanowires 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: Vol.64 No.22 作者:  Li, Li-Ming;  Ning, Feng;  Tang, Li-Ming 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 Electronic structures of [001]- and [111]-oriented InSb and GaSb free-standing nanowires 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: Vol.118 No.9 作者:  Liao, Gaohua;  Luo, Ning;  Yang, Zhihu;  Chen, Keqiu;  Xu, H.Q. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31