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| 一种制备GaN:Gd稀磁半导体薄膜材料的方法 专利
专利号: CN105088184A, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
作者: 高兴国
  收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法 专利
专利号: CN103227265B, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
作者: 张保平; 刘文杰; 胡晓龙; 张江勇; 应磊莹
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 氧化锌微纳米结构的制备及新型光电器件的研制 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者: 王登魁
收藏 | 浏览/下载：69/0 | 提交时间：2015/11/30
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| 锂氮共掺杂p型氧化锌基薄膜制备及其光电器件研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者: 卢英杰
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2015/11/30
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| 宽禁带半导体材料的光电特性研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者: 王丹丹
收藏 | 浏览/下载：85/0 | 提交时间：2015/11/30
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| 利用ICP进行In掺杂对GaN基LED材料性能的影响 期刊论文
2015
曾勇平; 张保平; 应磊莹
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2016/05/17
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| 结合动态蒙特卡洛法与分子动力学研究c面蓝宝石衬底的氮化现象 学位论文
2015, 2014
汤星舟
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2016/02/23
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| Si图形衬底上外延半极性（10-11）GaN 学位论文
2015, 2015
刘建明
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2016/02/23
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| 新型亚微/纳米电极及其光电器件界面接触研究 学位论文
: 上海大学, 2015
作者: 顾文[1]
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/04/26
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| 热氧化法中温度对GaO薄膜性质的影响 期刊论文
辽宁师范大学学报(自然科学版), 2015, 卷号: 第3期, 页码: 322-326
作者: 孙景昌; 刘奎朝; 马章微; 赵廷; 王玉新
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/03/07
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