QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 055706(1-4) 作者:  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Feng, Qiang;  Ohshita, Yoshio;  Yamaguchi, Masafumi 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2015/12/30 Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 4 作者:  Han, X. X.;  C. Dong;  Q. Feng;  Y. Ohshita and M. Yamaguchi 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/07/15