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具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利
专利号: CN104734015A, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2015-06-24
作者:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生
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氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法 专利
专利号: CN104617487A, 申请日期: 2015-05-13, 公开日期: 2015-05-13
作者:  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生
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