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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of Leakage and Reliability of SiNx Gate Dielectric by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition for GaN-based MIS-HEMTs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 8 作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2015/12/31 Gallium nitride  gate dielectric  low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)  silicon nitride   Effects of rapid thermal annealing on the properties of aln films deposited by peald on algan/gan heterostructures 期刊论文 Rsc advances, 2015, 卷号: 5, 期号: 47, 页码: 37881-37886 作者:  Cao, Duo;  Cheng, Xinhong;  Xie, Ya-Hong;  Zheng, Li;  Wang, Zhongjian 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/10 Theoretical study of the anisotropic electron scattering by steps in vicinal AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 physica e: low-dimensional systems and nanostructures, 2015, 卷号: 66, 页码: 116-119 Huijie Li; Guipeng Liu; Guijuan Zhao; Hongyuan Wei; Lianshan Wang; Shaoyan Yang; Zhen Chen; Zhanguo Wang 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/03/29