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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of the Silicon-nitride Passivation Film Thickness on the Characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs 期刊论文 Journal of the Korean Physical Society, 2015 作者:  Yang J(杨杰);  Ding P(丁芃);  Jin Z(金智);  Zhong YH(钟英辉);  Li XJ(李新建) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/05/26