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重庆大学 [3]
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期刊论文 [3]
发表日期
2015 [3]
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发表日期:2015
专题:重庆大学
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A Novel Interface-Gate Structure for SOI Power MOSFET to Reduce Specific On-Resistance
期刊论文
2015, 卷号: 32
作者:
Hu Sheng-Dong[1,2]
;
Jin Jing-Jing[1]
;
Chen Yin-Hui[1]
;
Jiang Yu-Yu[1]
;
Cheng Kun[1]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/28
Improving Breakdown Voltage for a Novel SOI LDMOS with a Lateral Variable Doping Profile on the Top Interface of the Buried Oxide Layer
期刊论文
2015
作者:
Jin, Jingjing[1]
;
Hu, Shengdong[1,2]
;
Chen, Yinhui[1]
;
Tan, Kaizhou[2]
;
Luo, Jun[2]
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/11/28
A Novel Interface-Gate Structure for SOI Power MOSFET to Reduce Specific On-Resistance A Novel Interface-Gate Structure for SOI Power MOSFET to Reduce Specific On-Resistance
期刊论文
2015, 卷号: 0, 页码: 171-173
作者:
胡盛东[1,2]
;
金晶晶[1]
;
陈银晖[1]
;
蒋玉宇[1]
;
程琨[1]
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提交时间:2019/11/29
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