QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2015    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate 期刊论文 Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 107, 期号: 4, 页码: 041103 Ke Liu; Wenquan Ma; Jianliang Huang; Yanhua Zhang; Yulian Cao; Wenjun Huang; Shuai Luo; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/03/23 Experimental determination of band overlap in type II InAs/GaSb superlattice based on temperature dependent photoluminescence signal 期刊论文 solid state communications, 2015, 卷号: 224, 页码: 34-36 Jianliang Huang; Wenquan Ma; Yanhua Zhang; Yulian Cao; Ke Liu; Wenjun Huang; Shuai Luo; Haiming Ji; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2016/03/23 Temperature-dependent photoluminescence and Raman investigation of Cu-incorporated ZnO nanorods 期刊论文 journal of luminescence, 2015, 卷号: 161, 页码: 330–334 J.L. Yu; Y.F. Lai; S.Y. Cheng; Q. Zheng; Y.H. Chen 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/03/22 Hybrid type-I InAs/GaAs and type-II GaSb/GaAs quantum dot structure with enhanced photoluminescence 期刊论文 applied physics letters, 2015, 卷号: 106, 页码: 103104 Hai-Ming Ji; Baolai Liang; Paul J. Simmonds; Bor-Chau Juang; Tao Yang; Robert J. Young; Diana L.Huffaker 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/03/22