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Gallium nitride based laser dazzling device and method 专利
专利号: US8908731, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2014-12-09
作者:  RARING, JAMES W.;  RUDY, PAUL
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Polymer/porous GaN bulk heterojunction and its optoelectronic property 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 314, 期号: 0, 页码: 464-467
作者:  Pan GB(潘革波);  Wang FX(王凤霞)
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/12/01
纳米压印技术制备表面二维光子晶体发光二极管 期刊论文
2014
陈志远; 刘宝林; 朱丽虹; 樊海涛; 曾凡明; 林飞
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/05/17
Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利
专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
作者:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO
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Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2014, 卷号: 564, 期号: 0, 页码: 135-139
作者:  Yang H(杨辉)
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AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈一仁
收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2014/08/21
Electrochemical deposition of copper on single-crystal gallium nitride(0001) electrode: nucleation and growth mechanism 期刊论文
ELECTROCHIMICA ACTA, 2014, 卷号: 130, 期号: 0, 页码: 537-542
作者:  Pan GB(潘革波)
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/12/08
Modified InGaN/GaN quantum wells with dual-wavelength green-yellow emission 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4863208, 2014
Fang, Z. L.; Li, Q. F.; Shen, X. Y.; Xiong, H.; Cai, J. F.; Kang, J. Y.; Shen, W. Z.; 康俊勇
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/07/22
Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 14159-14166
B. D. Liu; F. Yuan; B. Dierre; T. Sekiguchi; S. Zhang; Y. K. Xu; X. Jiang
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/01/14
Electrochemical formation and optoelectronic property of hybrid organic/inorganic heterostructure of PPy/GaN 期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 593, 期号: 0, 页码: 28-30
作者:  Pan, GB (潘革波);  Wang, FX (王凤霞)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/02/03
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