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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Increase of the Reliability of the Junction Terminations of Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor by Appropriate Backside Layout Design 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014 作者:  Teng Y(腾渊);  Zhang WL(张文亮);  Zhu YJ(朱阳军);  Lu SJ(卢烁今);  Tian XL(田晓丽) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/05/06