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GaAs tunnel junction grown using tellurium and magnesium as dopants by solid-state molecular beam epitaxy 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 53, 期号: 2
作者:  Yang, H (杨辉);  Lu, SL (陆书龙)
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Room-temperature GaAs/InP wafer bonding with extremely low resistance 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 卷号: 7, 期号: 11
作者:  Ji, L (季莲);  Yang, H (杨辉);  Lu, SL (陆书龙)
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