QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2014    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate 专利 专利号: US8865565, 申请日期: 2014-10-21, 公开日期: 2014-10-21 作者:  CHEN, ZHEN 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利 专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26 作者:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Laser diode and method for fabricating same 专利 专利号: US8679876, 申请日期: 2014-03-25, 公开日期: 2014-03-25 作者:  CHAKRABORTY, ARPAN;  HANSEN, MONICA;  DENBAARS, STEVEN;  NAKAMURA, SHUJI;  BRANDES, GEORGE 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24