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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of substrate miscut on dislocation glide in metamorphic (Al) GaInP buffers 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 380, 期号: 0, 页码: 261-267 作者:  Li, KL;  Sun, YR;  Dong, JR(董建荣);  Zhao, YM;  Yu, SZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/01/13 Stresses  X-ray diffraction  Metal-organic chemical vapor deposition  Semiconductor III-V materials   Mechanism of TMAl pre-seeding in AlN epitaxy on Si (111) substrate 期刊论文 Vacuum, 2013 作者:  Bao QL(包琦龙);  Luo J(罗军);  Zhao C(赵超) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/10/30 Effects of Substrate Miscut on the Quality of In0.3Ga0.7As Layers Grown on Metamorphic (Al)GaInP Buffers by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 卷号: 6, 期号: 6 作者:  Zhao, YM(赵勇明);  Dong, JR(董建荣);  Yang, H(杨辉);  Yu, SZ(于淑珍) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/01/13 The Effects of a Low-Temperature GaN Interlayer on the Performance of InGaN/GaN Solar Cells 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 30, 期号: 2 作者:  Yang, H（杨辉） 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/01/15 TEM dislocations characterization of InxGa1-xAs/InP (100) (x=0.82) on mismatched InP substrate 期刊论文 Materials Letters, 2013, 期号: 106 Zhao L.; Sun J. G.; Guo Z. X.; Miao G. Q. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/05/14 Influence of Implantation Damages and Intrinsic Dislocations on Phosphorus Diffusion in Ge 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1109/TED.2013.2280382, 2013 Ruan, Yujiao; Chen, Chengzhao; Huang, Shihao; Huang, Wei; Chen, Songyan; Li, Cheng; Li, Jun; 黄巍; 陈松岩; 李成; 李军 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/07/22 GERMANIUM  ACTIVATION  JUNCTIONS  DOPANTS