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厦门大学 [3]
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山东大学 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
学位论文 [2]
发表日期
2013 [5]
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共5条,第1-5条
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发表日期:2013
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金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析
期刊论文
2013
严光明
;
李成
;
汤梦饶
;
黄诗浩
;
王尘
;
卢卫芳
;
黄巍
;
赖虹凯
;
陈松岩
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/05/17
金属与Ge接触性质
NiGe
比接触电阻率
metal/Ge contact
NiGe
specific contact resistance
高Al组分AlGaN日盲紫外光电器件的辐射效应研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:
张孝富
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2013/06/05
AlGaN 光电材料
p-i-n 光电二极管
肖特基光电二极管
60Coγ射线辐照
电子辐照
CuF2/MoO3/C复合正极的电化学阻抗谱研究
期刊论文
http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9950.shtml, 2013
史月丽
;
吴楠
;
沈明芳
;
董佳群
;
庄全超
;
江利
;
SHI Yue-li
;
WU Nan
;
SHEN Ming-fang
;
DONG Jia-qun
;
ZHUANG Quang-chao
;
JIANG Li
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2013/11/18
CuF2/MoO3/C复合材料
转化反应
电化学阻抗谱
肖特基接触阻抗
CuF2/MoO3/C composite electrode
conversion reactions
electrochemical impedance spectra
Schottky contact impedance
NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性研究
学位论文
2013, 2013
汤梦饶
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/01/13
Ni(Si1-xGex)
NiGe
热稳定性
费米能级钉扎效应
势垒高度
Ni(Si1-xGex)
NiGe
Thermal stability
Fermi-level pinning effect
Schottky barrier height
Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
中国物理B:英文版, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 394-398
作者:
曹芝芳[1]
;
林兆军[1]
;
吕元杰[1]
;
栾崇彪[1]
;
王占国[2]
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/23
异质结场效应晶体管
ALGAN
应变变化
肖特基
势垒层
AlN
HFET
欧姆接触
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