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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fe、Cu掺杂及多重掺杂单晶硅材料制备及性能研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013 作者:  周步康 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/06/03 单晶硅  深能级杂质  单掺杂  多重掺杂  电学特性  热敏特性   Morphology and Electrical Performance Improvement of NiGe/Ge Contact by P and Sb Co-implantation 期刊论文 ieee electron device letters, 2013 Li, Zhiqiang; An, Xia; Li, Min; Yun, Quanxin; Lin, Meng; Li, Ming; Zhang, Xing; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 Antimony  Ge MOSFET  NiGe  thermal stability  THERMAL-STABILITY  GERMANIUM  GE  SUBSTRATE  MOSFETS  ALLOY  SI   A Reduced-Order Correction Algorithm for the Linear Programming Problem by Non-negative Constraints with the Most-Obtuse Angle 期刊论文 Journal of Networks, 2013, 卷号: Vol.8 No.10, 页码: 2361-2367 作者:  Liu, Dao-Jian;  Huang, Tian-Min 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 Linear Programming  Characteristic Matrix  Negative Pivoting Iteration Transformation  Non-Negative Constraint  Reduced Order and Rectifying   p-CuCr0.91Mg0.09O2/n-Si p-n结的制备与电学特性 期刊论文 中国有色金属学报, 2013, 卷号: 23, 页码: 128-132 作者:  董国波;  张铭;  李杨超;  王玫;  李英姿 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/06 CuCr0.91Mg0.09O2薄膜 整流特性 串联电阻 合成 电学特征 CuCr0.91Mg0.09O2 thin film rectifying characteristic series resistance synthesis electrical properties