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| 提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法 专利
专利号: CN102383186B, 申请日期: 2013-12-11, 公开日期: 2013-12-11
作者: 王锐; 孙金超; 仇兆忠
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| 具有含铟包层的半导体激光器 专利
专利号: CN103403985A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20
作者: R·巴特; D·S·兹佐夫; C-E·扎
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| 一种超晶格波导半导体激光器结构 专利
专利号: CN103384046A, 申请日期: 2013-11-06, 公开日期: 2013-11-06
作者: 李特; 张月; 李再金; 郝二娟; 邹永刚
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| Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究 期刊论文
半导体技术, 2013
作者: 徐小明; 江忠永; 丛宏林; 赵超
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| 一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法 专利
专利号: CN102162137B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29
作者: 刘学超; 杨建华; 施尔畏
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| 用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法 专利
专利号: CN102255244B, 申请日期: 2013-04-17, 公开日期: 2013-04-17
作者: 李德尧; 许海军; 吴超; 廛宇飞; 朱建军
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| ZnO薄膜在Si(100)衬底上的制备及性能研究 学位论文
2013, 2013
金昌连
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| 紧横向束缚和无序势场下的多组份玻色-爱因斯坦凝聚 学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2013
作者: 崔国栋
收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2016/11/28
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| 半导体纳米线和二类超晶格的电子结构和光学性质研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
郎晓丽
收藏 | 浏览/下载：42/0 | 提交时间：2013/06/20 |
| 分子束外延生长的 InAs/GaSb 二类超晶格材料的电学性质研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
郭晓璐
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2013/06/24 |
