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一种半导体结构及其制造方法 专利
申请日期: 2013-07-09,
作者:  钟汇才;  朱慧珑;  梁擎擎
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100 GHz InP基转移电子器件的研制 期刊论文
Advanced Materials Research, 2013
作者:  贾锐;  武德起;  白阳
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用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 专利
专利号: CN200910077678.9, 申请日期: 2013-03-06, 公开日期: 2010-08-11
作者:  贾锐;  李维龙;  刘明;  龙世兵
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