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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法 专利 专利号: CN102810465, 申请日期: 2012-12-05, 作者:  周静涛;  李博;  申华军;  白云;  汤益丹 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/06/20 Investigation of silicon/glass anodic bonding with PECVD silicon carbide as the intermediate layer 期刊论文 journal of micromechanics and microengineering, 2012 Tang, W.; Meng, B.; Su, W.; Zhang, H. X. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 THIN-FILMS  GLASS  PRESSURE  NITRIDE  SENSORS  OXIDE   An optimized fabrication of high yield CMOS-compatible silicon carbide capacitive pressure sensors 其他 2012-01-01 Meng, B.; Tang, W.; Wang, Z.R.; Zhang, H.X. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 Surface characteristics and corrosion behaviour of WE43 magnesium alloy coated by SiC film 期刊论文 应用表面科学, 2012 Li, M.; Cheng, Y.; Zheng, Y. F.; Zhang, X.; Xi, T. F.; Wei, S. C. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10 WE43 alloy  SiC film  PECVD  Corrosion  Hemocompatibility  AMORPHOUS-SILICON CARBIDE  SIMULATED BODY-FLUID  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CORONARY-ARTERIES  INTRAVASCULAR ULTRASOUND  BIOMEDICAL APPLICATIONS  MG  PLATELET  STENTS  PECVD   等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备SiC薄膜及其光学特性研究 学位论文 2012 作者:  罗才军 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/10 等离子体增强化学气相沉积  SiC薄膜  化学键  光学带隙  纳米晶