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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 胡志远 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/24 MOS器件  闪存单元  总剂量效应  浅沟槽隔离   Radiation-induced shallow trench isolation leakage in 180-nm flash memory technology 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2012, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 130-136 Ning, BX; Zhang, ZX; Liu, ZL; Hu, ZY; Chen, M; Bi, DW; Zou, SC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/04/17