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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2012    内容类型：期刊论文    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2012, 卷号: 540, 期号: 11, 页码: 46-48 作者:  Hui Yang (杨辉);  S.M. Zhang(张书明) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/01/22 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction   Tilt generation and phase separation in metamorphic GaInP buffers grown on GaAs substrates by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 J. Crystal Growth, 2012, 卷号: 49, 期号: 43, 页码: 101 作者:  S.Z. Yu（于淑珍）;  Y.M. Zhao（赵勇明）;  H. Yang(杨辉);  J.R. Dong（董建荣） 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/01/16 X-ray diffraction  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Semiconductor III–V materials   Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30 作者:  S.M. Zhang(张书明);  Y.M. Fan(范亚明);  B.S. Zhang(张宝顺);  H. Yang(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/01/22 Diffusion  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides  Semiconducting quaternary alloys