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北京航空航天大学 [1]
海洋研究所 [1]
内容类型
专利 [2]
发表日期
2012 [2]
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发表日期:2012
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一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料及其制备和应用
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201110290535.3, 申请日期: 2012-06-20, 公开日期: 2012-06-20
作者:
王毅
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2014/08/04
一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料
M3+为Al3+
M2+/M3+的摩尔比为1.6~4.5
0.2≤x≤0.4。
其特征在于:所述水滑石材料化学组成通式为[M2+1?xM3+x(OH)2]x+(C16H17N2O4S?)x·nH2O
Cr3+
M2+为Mg2+
Fe3+
Zn2+
V3+
Ni2+
Co3+
Fe2+或Mn2+的二价金属离子
Ga3+或Ti3+的三价金属离子
一种新型Ni-Mn-Ga树脂基复合材料及其制备方法
专利
申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-02-13
作者:
梁伟
;
贺昱
;
杨嘉陵
;
刘宇峰
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提交时间:2020/01/06
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