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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化物半导体发光元件、外延基板及氮化物半导体发光元件的制作方法 专利 专利号: CN102292884A, 申请日期: 2011-12-21, 公开日期: 2011-12-21 作者:  京野孝史;  善积祐介;  盐谷阳平;  秋田胜史;  上野昌纪 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化鎵系半導體雷射二極體 专利 专利号: TW201115869A, 申请日期: 2011-05-01, 公开日期: 2011-05-01 作者:  住友隆道;  鹽谷陽平;  善積祐介;  上野昌紀;  秋田勝史 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18