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一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 专利
专利号: CN101976713A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011-02-16
作者:  于彤军;  方浩;  陶岳彬;  李兴斌;  陈志忠
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高性能AlN/GaN DBR的制备与特性研究 学位论文
2011, 2010
吴超敏
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